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IXTT170N10P IXTQ170N10P
IXTK170N10P
320
280
Fig. 7. Input Admittance
T J = - 40oC
120
100
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
240
25oC
200
160
150oC
80
60
25oC
150oC
120
40
80
20
40
0
0
3
4
5
6
7
8
9
10
0
40
80
120
160
200
240
280
320
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 50V
300
8
I D = 85A
I G = 10mA
250
200
150
100
T J = 25oC
T J = 150oC
7
6
5
4
3
2
50
1
0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
f = 1 MHz
R DS(on) Limit
10ms
1ms
100μs
DC
10,000
1,000
100
Ciss
Coss
Crss
100
10
1
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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